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SI7104DN-T1-GE3

SI7104DN-T1-GE3
Mfr. #:
SI7104DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
RF Bipolar Transistors MOSFET 12V 35A 52W 3.7mohm @ 4.5V
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI7104DN-T1-GE3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
VISHAY
categoria de producto
FET - Single
Serie
SI71xxDx
embalaje
Carrete
Alias ​​de parte
SI7104DN-GE3
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
PowerPAK-1212-8
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Único
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
3.8 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
12 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
26.1 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
12 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
3.7 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tags
SI710, SI71, SI7
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ure Electronics
Single N-Channel 12 V 3.8 W 70 nC Silicon Surface Mount Mosfet - POWERPAK-1212-8
***et
Trans MOSFET N-CH 12V 26.1A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
***ark
N-Channel 12-V (D-S) Mosfet
***i-Key
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI7104DN-T1-GE3
DISTI # SI7104DN-T1-GE3-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 3000:$1.0989
SI7104DN-T1-GE3
DISTI # SI7104DN-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 12V 26.1A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R (Alt: SI7104DN-T1-GE3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape and Reel		Asia - 0
    SI7104DN-T1-GE3
    DISTI # SI7104DN-T1-GE3    		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 12V 26.1A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R - Tape and Reel (Alt: SI7104DN-T1-GE3)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 3000
    Container: Reel    		Americas - 0
    • 3000:$1.0769
    • 6000:$1.0449
    • 12000:$1.0019
    • 18000:$0.9739
    • 30000:$0.9479
    SI7104DN-T1-GE3
    DISTI # 33P5372    		Vishay IntertechnologiesN-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET0
    • 1:$1.1000
    • 3000:$1.0900
    • 6000:$1.0400
    • 12000:$0.9180
    SI7104DN-T1-GE3
    DISTI # 781-SI7104DN-GE3    		Vishay IntertechnologiesMOSFET 12V 35A 52W 3.7mohm @ 4.5V
    RoHS: Compliant    		0
    • 3000:$1.0000
    • 6000:$0.9630
    Imagen Parte # Descripción
    SI7104DN-T1-E3

    Mfr.#: SI7104DN-T1-E3

    OMO.#: OMO-SI7104DN-T1-E3

    		 MOSFET 12V 35A
    SI7104DN-T1-GE3

    Mfr.#: SI7104DN-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI7104DN-T1-GE3

    		 MOSFET 12V 35A 52W 3.7mohm @ 4.5V
    SI7104DN-T1-GE3

    Mfr.#: SI7104DN-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI7104DN-T1-GE3-VISHAY

    		 RF Bipolar Transistors MOSFET 12V 35A 52W 3.7mohm @ 4.5V
    SI7104DN-T1-E3

    Mfr.#: SI7104DN-T1-E3

    OMO.#: OMO-SI7104DN-T1-E3-VISHAY

    		 RF Bipolar Transistors MOSFET 12V 35A
    Disponibilidad
    Valores:
    Available
    En orden:
    4500
    Ingrese la cantidad:
    El precio actual de SI7104DN-T1-GE3 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
    Precio de referencia (USD)
    Cantidad
    Precio unitario
    Ext. Precio
    1
    1,42 US$
    1,42 US$
    10
    1,35 US$
    13,51 US$
    100
    1,28 US$
    127,97 US$
    500
    1,21 US$
    604,30 US$
    1000
    1,14 US$
    1 137,50 US$
    Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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