IXTH340N04T4

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

340 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.9 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

15 V

Qg - Carga de puerta:

256 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

480 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

HiPerFET

Embalaje:

Tubo

Serie:

Gen4

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

110 S

Otoño:

40 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

55 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

113 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

23 ns

Unidad de peso:

0.211644 oz

Tags

IXTH3, IXTH, IXT