IPC90N04S53R6ATMA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TDSON-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

90 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

32.6 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

63 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Nombre comercial:

OptiMOS

Embalaje:

Carrete

Serie:

Canal N

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Infineon Technologies

Otoño:

4 ns

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

2 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

8 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5 ns

Parte # Alias:

IPC90N04S5-3R6 SP001418114

Tags

IPC90N, IPC90, IPC9, IPC