ZX5T851ASTZ

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

E-Line-3

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

60 V

Colector- Voltaje base VCBO:

150 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

7 V

Corriente máxima del colector de CC:

4.5 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

130 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

ZX5T851

Ganancia de corriente CC hFE Max:

100 at 10 mA, 1 V

Altura:

4.01 mm

Longitud:

4.77 mm

Embalaje:

Carrete

Ancho:

2.41 mm

Marca:

Diodos incorporados

Pd - Disipación de energía:

1000 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

2000

Subcategoría:

Transistores

Tags

ZX5T851, ZX5T85, ZX5T8, ZX5T, ZX5