MTP10N10ELG

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

10 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

220 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

15 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

40 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

9.28 mm

Longitud:

10.28 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

4.82 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

7.9 S

Otoño:

38 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

74 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

17 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

11 ns

Unidad de peso:

0.211644 oz

Tags

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