DZT851-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-223-4

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

60 V

Colector- Voltaje base VCBO:

150 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

6 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

375 mV

Corriente máxima del colector de CC:

6 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

130 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

DZT851

Ganancia de corriente CC hFE Max:

300

Altura:

1.65 mm

Longitud:

6.7 mm

Embalaje:

Carrete

Ancho:

3.7 mm

Marca:

Diodos incorporados

Corriente continua del colector:

6 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

25

Pd - Disipación de energía:

3 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.003951 oz

Tags

DZT851, DZT8, DZT