BSS123W-7-F

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-323-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

170 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

6 Ohms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

200 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1 mm

Longitud:

2.2 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

BSS123W

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

Transistor de efecto de campo en modo de mejora

Ancho:

1.35 mm

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

0.08 S, 0.37 S

Otoño:

8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

13 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8 ns

Unidad de peso:

0.000176 oz

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BSS123W-7, BSS123W, BSS123, BSS12, BSS1, BSS