IXTP05N100

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

1 kV

Id - Corriente de drenaje continua:

750 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

17 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

7.8 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

40 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

16 mm

Longitud:

10.41 mm

Serie:

IXTP05N100

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET de potencia de alto voltaje

Ancho:

4.83 mm

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

0.55 S

Otoño:

28 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

19 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

40 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

11 ns

Unidad de peso:

0.081130 oz

Tags

IXTP05, IXTP0, IXTP, IXT