FDA20N50-F109

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-3PN-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

500 V

Id - Corriente de drenaje continua:

22 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

230 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

280 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

UniFET

Embalaje:

Tubo

Altura:

20.1 mm

Longitud:

16.2 mm

Serie:

FDA20N50_F109

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

5 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Otoño:

105 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

375 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

450

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

100 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

95 ns

Parte # Alias:

FDA20N50_F109

Unidad de peso:

0.225789 oz

Tags

FDA20N50-F, FDA20N, FDA20, FDA2, FDA