NTD4806N-35G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

14 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

6 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

2.14 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Altura:

6.22 mm

Longitud:

6.73 mm

Serie:

NTD4806N

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

FET - MOSFET

Ancho:

2.38 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

14 S

Otoño:

7.8 ns, 4.7 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

29.7 ns, 23.8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

75

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

18.3 ns, 26 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

13.9 ns, 8.5 ns

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

NTD4806, NTD480, NTD48, NTD4, NTD