APT10M11JVFR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Pastilla

Categoria de producto:

Módulos de semiconductores discretos

RoHS:

Y

Producto:

Módulos MOSFET de potencia

Escribe:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Estilo de montaje:

Montaje con tornillo

Paquete / Caja:

SOT-227-4

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Embalaje:

Tubo

Configuración:

Único

Marca:

Microchip / Microsemi

Polaridad del transistor:

Canal N

Otoño:

9 ns

Id - Corriente de drenaje continua:

144 A

Voltaje de suministro operativo:

0.5 V

Pd - Disipación de energía:

450 W

Tipo de producto:

Módulos de semiconductores discretos

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

11 mOhms

Hora de levantarse:

48 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1

Subcategoría:

Módulos de semiconductores discretos

Tiempo de retardo de apagado típico:

51 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

16 ns

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Unidad de peso:

1.015890 oz

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