2N5953

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor central

Categoria de producto:

Transistores RF JFET

RoHS:

N

Tipo de transistor:

JFET

Tecnología:

Si

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

15 V

Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

5 mA

Voltaje máximo de la puerta de drenaje:

30 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

360 mW

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-92-3

Embalaje:

A granel

Configuración:

Único

Serie:

2N5952

Marca:

Semiconductor central

NF - Figura de ruido:

5 dB

Tipo de producto:

Transistores RF JFET

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

375 Ohms

Cantidad de paquete de fábrica:

2000

Subcategoría:

Transistores

Tags

2N595, 2N59, 2N5