FDY4001CZ

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SC-89-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

200 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

5 Ohms, 8 Ohms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V, 8 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

625 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.6 mm

Longitud:

1.6 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

1.2 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

1.1 S, 0.7 S

Otoño:

8 ns, 13 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

8 ns, 13 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

8 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6 ns

Unidad de peso:

0.001129 oz

Tags

FDY4, FDY