SIA922EDJ-T1-GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante

Vishay Siliconix

categoria de producto

Chips de IC

Serie

TrincheraFETR

embalaje

Embalaje alternativo de Digi-ReelR

Alias ​​de parte

SI1972DH-T1-GE3

Estilo de montaje

SMD / SMT

Paquete-Estuche

PowerPAKR SC-70-6 Dual

Tecnología

Si

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de canales

2 Channel

Paquete de dispositivo de proveedor

PowerPAKR SC-70-6 Dual

Configuración

Doble

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Potencia máxima

7.8W

Tipo transistor

2 N-Channel

Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss

30V

Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds

-

Función FET

Puerta de nivel lógico

Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C

4.5A

Rds-On-Max-Id-Vgs

64 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs-th-Max-Id

1.4V @ 250μA

Puerta-Carga-Qg-Vgs

12nC @ 10V

Disipación de potencia Pd

1.9 W

Temperatura máxima de funcionamiento

+ 150 C

Temperatura mínima de funcionamiento

- 55 C

Otoño

45 ns

Hora de levantarse

60 ns

Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje

12 V

Id-corriente-de-drenaje-continua

4.5 A

Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage

30 V

Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage

1.4 V

Resistencia a la fuente de desagüe de Rds

64 mOhms

Polaridad del transistor

Canal N

Tiempo de retardo de apagado típico

25 ns

Tiempo de retardo de encendido típico

20 ns

Qg-Gate-Charge

12 nC

Transconductancia directa-Mín.

13 S

Modo de canal

Mejora

Tags

SIA922, SIA92, SIA9, SIA