CMLDM3757 TR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor central

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-563

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

540 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

750 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

1.58 nC, 1.2 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

350 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

CMLDM3

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Semiconductor central

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

25 ns, 48 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns, 38 ns

Parte # Alias:

CMLDM3757 PBFREE TR

Unidad de peso:

0.000106 oz

Tags

CMLDM3, CMLDM, CMLD, CML