FDN86265P

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SSOT-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

150 V

Id - Corriente de drenaje continua:

80 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.2 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3.3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

25 V

Qg - Carga de puerta:

2.9 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.5 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

PowerTrench

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.12 mm

Longitud:

2.9 mm

Serie:

FDN86265P

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

1.4 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

1.5 S

Otoño:

9.9 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

2.2 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

7.9 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5.7 ns

Unidad de peso:

0.001058 oz

Tags

FDN86265P, FDN8626, FDN862, FDN8, FDN