SSM3J14TTE85LF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSM-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.7 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

120 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Pd - Disipación de energía:

700 mW

Configuración:

Único

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.7 mm

Longitud:

2.9 mm

Serie:

SSM3J14

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

1.6 mm

Marca:

Toshiba

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

8000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

29 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

29 ns

Tags

SSM3J14T, SSM3J14, SSM3J1, SSM3J, SSM3, SSM