BC639

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

N

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-92-3

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

80 V

Colector- Voltaje base VCBO:

80 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

5 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

0.5 V

Corriente máxima del colector de CC:

1 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

200 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

BC639

Ganancia de corriente CC hFE Max:

25 at 5 mA, 2 V

Altura:

4.01 mm

Longitud:

4.77 mm

Ancho:

2.41 mm

Marca:

Diodos incorporados

Corriente continua del colector:

1 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

25 at 5 mA, 2 V, 40 at 150 mA, 2 V, 25 at 500 mA, 2 V

Pd - Disipación de energía:

625 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.016000 oz

Tags

BC639, BC63, BC6