AS4C512M8D3LB-10BINTR

AS4C512M8D3LB-10BINTR
Mfr. #:
AS4C512M8D3LB-10BINTR
Fabricante:
Alliance Memory
Descripción:
DRAM 4G - B DIE - 10NS OPTION 512M x 8 1.35V 933MHz DDR3-1866bps/pin Industrial (-40 95 C) 78-ball FBGA
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
AS4C512M8D3LB-10BINTR Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Memoria de la Alianza
Categoria de producto:
DRACMA
RoHS:
Y
Escribe:
SDRAM - DDR3L
Ancho del bus de datos:
8 bit
Organización:
512 M x 8
Paquete / Caja:
FBGA-78
Tamaño de la memoria:
4 Gbit
Frecuencia máxima de reloj:
933 MHz
Voltaje de suministro - Máx:
1.45 V
Voltaje de suministro - Min:
1.283 V
Corriente de suministro - Máx .:
60 mA
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 40 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 95 C
Serie:
AS4C512M8D3LB-10
Embalaje:
Carrete
Marca:
Memoria de la Alianza
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Sensible a la humedad:
Yes
Tipo de producto:
DRACMA
Cantidad de paquete de fábrica:
2500
Subcategoría:
Memoria y almacenamiento de datos
Tags
AS4C512M8D3LB-10, AS4C512M8D3LB, AS4C512M8D3L, AS4C512M8, AS4C5, AS4C, AS4
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
Imagen Parte # Descripción
AS4C512M8D3LB-10BCN

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DRAM 4G - B DIE - 10NS OPTION 512M x 8 1.35V 933MHz DDR3-1866bps/pin Commercial (Extended) (0 95 C) 78-ball FBGA
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DRAM 4G - B DIE - 10NS OPTION 512M x 8 1.35V 933MHz DDR3-1866bps/pin Industrial (-40 95 C) 78-ball FBGA
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DRAM 4G 1.35V 800MHz 512M x 8 DDR3
AS4C512M8D3LB-12BIN

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DRAM 4G 1.35V 800MHz 512M x 8 DDR3 I-Temp
AS4C512M8D3LB-12BINTR

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DRAM 4G 1.35V 800MHz 512M x 8 DDR3 I-Temp
AS4C512M8D3L-12BAN

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IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Automotive, AEC-Q100
AS4C512M8D3L-12BANTR

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DRAM DDR3, 4GB. 1.35V 800MHz,512M x 8
AS4C512M8D3L-12BCNTR

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DRAM 4G 1.35V 1600Mhz 512M x 8 DDR3
AS4C512M8D3LA-12BIN

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IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
AS4C512M8D3B-12BIN

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IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
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