MW7IC2425NBR1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

NXP

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

RoHS:

E

Polaridad del transistor:

Canal N

Tecnología:

Si

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

65 V

Ganar:

27.7 dB

Potencia de salida:

25 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-270-WB-16

Embalaje:

Carrete

Configuración:

Doble

Altura:

2.64 mm

Longitud:

23.67 mm

Frecuencia de operación:

2.45 GHz

Serie:

MW7IC2425N

Escribe:

RF Power MOSFET

Ancho:

9.07 mm

Marca:

NXP / Freescale

Modo de canal:

Mejora

Sensible a la humedad:

Yes

Pd - Disipación de energía:

25 W

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

500

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.9 V

Parte # Alias:

935319486528

Unidad de peso:

0.067454 oz

Tags

MW7IC2425N, MW7IC24, MW7IC2, MW7I, MW7