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GTVA126001EC-V1-R0

GTVA126001EC-V1-R0
Mfr. #:
GTVA126001EC-V1-R0
Fabricante:
N/A
Descripción:
RF JFET Transistors GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
GTVA126001EC-V1-R0 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
GTVA126001EC-V1-R0 más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Cree, Inc.
Categoria de producto:
Transistores RF JFET
RoHS:
Y
Tipo de transistor:
HEMT
Tecnología:
GaN SiC
Ganar:
18 dB
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
150 V
Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:
- 10 V to 2 V
Id - Corriente de drenaje continua:
10 A
Potencia de salida:
600 W
Voltaje máximo de la puerta de drenaje:
-
Estilo de montaje:
Montaje con tornillo
Paquete / Caja:
H-36248-2
Embalaje:
Carrete
Frecuencia de operación:
1.2 GHz to 1.4 GHz
Marca:
Velocidad de lobo / Cree
Tipo de producto:
Transistores RF JFET
Cantidad de paquete de fábrica:
50
Subcategoría:
Transistores
Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:
- 3 V
Tags
GTVA1, GTVA, GTV
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Packaging Boxes
GTVA High Power RF GaN on SiC HEMT
Wolfspeed / Cree GTVA High Power RF GaN on SiC HEMT are 50V High Electron Mobility Transistors (HEMT) based on Gallium-Nitride on Silicon Carbide technology. GaN on SiC devices offer high power density coupled with a high breakdown voltage, enabling highly efficient power amplifiers. The GTVA High Power RF GaN on SiC HEMT feature input matching, high efficiency, and thermally-enhanced packages. These Pulsed/CW (Continuous Wave) devices have a pulse width of 128µs and a duty cycle of 10%.
Imagen Parte # Descripción
GTVA126001EC-V1-R0

Mfr.#: GTVA126001EC-V1-R0

OMO.#: OMO-GTVA126001EC-V1-R0

 RF JFET Transistors GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W
Disponibilidad
Valores:
50
En orden:
2033
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