IRFH5053TRPBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PQFN-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

46 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

18 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

24 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

3.1 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1 mm

Longitud:

6 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

5 mm

Marca:

Infineon Technologies

Otoño:

9.9 ns

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

14.6 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

18 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8.6 ns

Parte # Alias:

SP001556266

Tags

IRFH5053T, IRFH505, IRFH50, IRFH5, IRFH, IRF