MJE5730G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

300 V

Colector- Voltaje base VCBO:

300 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

5 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

1 V

Corriente máxima del colector de CC:

1 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

10 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

MJE5730

Altura:

15.75 mm

Longitud:

10.53 mm

Embalaje:

Tubo

Ancho:

4.83 mm

Marca:

EN Semiconductor

Corriente continua del colector:

1 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

30

Pd - Disipación de energía:

40 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.211644 oz

Tags

MJE573, MJE57, MJE5, MJE