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SIA778DJ-T1-GE3

SIA778DJ-T1-GE3
Mfr. #:
SIA778DJ-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
IGBT Transistors MOSFET N-CHANNEL 12-V & 20-V (D-S) MOSFET
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SIA778DJ-T1-GE3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Vishay Siliconix
categoria de producto
FET: matrices
Serie
TrincheraFETR
embalaje
Embalaje alternativo de Digi-ReelR
Paquete-Estuche
PowerPAKR SC-70-6 Dual
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Número de canales
2 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
PowerPAKR SC-70-6 Dual
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Potencia máxima
6.5W, 5W
Tipo transistor
2 N-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
12V, 20V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
500pF @ 6V
Función FET
Puerta de nivel lógico
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
4.5A, 1.5A
Rds-On-Max-Id-Vgs
29 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs-th-Max-Id
1V @ 250μA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
15nC @ 8V
Polaridad del transistor
Canal N
Tags
SIA
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 12V/20V 4.5A/1.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
***i-Key
MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
***
N-CHANNEL 12-V & 20-V (D-S)
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SIA778DJ-T1-GE3
DISTI # SIA778DJ-T1-GE3CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		874In Stock
  • 500:$0.3365
  • 100:$0.4589
  • 10:$0.6120
  • 1:$0.7300
SIA778DJ-T1-GE3
DISTI # SIA778DJ-T1-GE3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
  • 3000:$0.2302
SIA778DJ-T1-GE3
DISTI # SIA778DJ-T1-GE3DKR-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		Limited Supply - Call
    SIA778DJ-T1-GE3
    DISTI # 78-SIA778DJ-T1-GE3    		Vishay IntertechnologiesMOSFET N-CHANNEL 12-V & 20-V (D-S) MOSFET
    RoHS: Compliant    		0
    • 1:$0.6400
    • 10:$0.4880
    • 100:$0.3620
    • 500:$0.2980
    • 1000:$0.2300
    • 3000:$0.2250
    SIA778DJ-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET N-CHANNEL 12-V & 20-V (D-S) MOSFET
    RoHS: Compliant    		Americas -
      Imagen Parte # Descripción
      SIA778DJ-T1-GE3

      Mfr.#: SIA778DJ-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SIA778DJ-T1-GE3

      		 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIA910EDJ-T1-GE3
      SIA778DJ-T1-GE3

      Mfr.#: SIA778DJ-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SIA778DJ-T1-GE3-VISHAY

      		 IGBT Transistors MOSFET N-CHANNEL 12-V & 20-V (D-S) MOSFET
      Disponibilidad
      Valores:
      Available
      En orden:
      3000
      Ingrese la cantidad:
      El precio actual de SIA778DJ-T1-GE3 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
      Precio de referencia (USD)
      Cantidad
      Precio unitario
      Ext. Precio
      1
      0,34 US$
      0,34 US$
      10
      0,32 US$
      3,21 US$
      100
      0,30 US$
      30,38 US$
      500
      0,29 US$
      143,45 US$
      1000
      0,27 US$
      270,00 US$
      Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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