STS8C5H30L

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

5.4 A, 8 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

22 mOhms, 55 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

7 nC, 12.5 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.6 W, 2 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.65 mm

Longitud:

5 mm

Serie:

STS8C5H30L

Tipo de transistor:

1 N-Channel Power MOSFET, 1 P-Channel Power MOSFET

Escribe:

MOSFET

Ancho:

4 mm

Marca:

STMicroelectronics

Transconductancia directa - Mín .:

8.5 S, 10 S

Otoño:

8 ns, 35 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

14.5 ns, 35 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

23 ns, 125 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

12 ns, 25 ns

Unidad de peso:

0.002998 oz

Tags

STS8C5, STS8C, STS8, STS