MMBT6517LT3G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

350 V

Colector- Voltaje base VCBO:

350 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

5 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

1 V

Corriente máxima del colector de CC:

0.5 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

200 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

MMBT6517L

Altura:

0.94 mm

Longitud:

2.9 mm

Embalaje:

Carrete

Ancho:

1.3 mm

Marca:

EN Semiconductor

Corriente continua del colector:

0.5 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

20

Pd - Disipación de energía:

225 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

10000

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.000282 oz

Tags

MMBT6517, MMBT651, MMBT65, MMBT6, MMBT, MMB