BSS5130AT116

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

- 30 V

Colector- Voltaje base VCBO:

- 30 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

- 6 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

- 100 mV

Corriente máxima del colector de CC:

- 2 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

320 MHz

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Ganancia de corriente CC hFE Max:

680

Embalaje:

Carrete

Marca:

Semiconductor ROHM

Corriente continua del colector:

- 1 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

270

Pd - Disipación de energía:

200 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

Transistores

Tags

BSS513, BSS51, BSS5, BSS