QH8JA1TCR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSMT-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

28 mOhms, 28 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

10.2 nC, 10.2 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.5 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

2 P-Channel

Marca:

Semiconductor ROHM

Transconductancia directa - Mín .:

5.5 S, 5.5 S

Otoño:

65 ns, 65 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

32 ns, 32 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

70 ns, 70 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

11 ns, 11 ns

Parte # Alias:

QH8JA1

Tags

QH8