NTD4857NT4G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

25 V

Id - Corriente de drenaje continua:

15 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

5.7 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

2.1 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

2.38 mm

Longitud:

6.73 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

6.22 mm

Marca:

EN Semiconductor

Otoño:

6.8 ns, 3.6 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

20.6 ns, 18.7 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

18.6 ns, 26 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

13.9 ns, 8.7 ns

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

NTD4857, NTD485, NTD48, NTD4, NTD