IXTZ550N055T2

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DE-475-6

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

55 V

Id - Corriente de drenaje continua:

550 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

595 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

600 W

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

HiPerFET

Embalaje:

Tubo

Altura:

3.18 mm

Longitud:

21.08 mm

Serie:

IXTZ550N055

Escribe:

TrenchT2 GigaMOS Power MOSFET

Ancho:

23.11 mm

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

95 S

Otoño:

230 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

40 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

20

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

90 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

45 ns

Unidad de peso:

0.105822 oz

Tags

IXT