DMN1150UFB-7B

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

X1-DFN1006-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

12 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.41 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

150 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

350 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

6 V

Qg - Carga de puerta:

1.5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

500 mW (1/2 W)

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

DMN1150

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

30 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

34.5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

10000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

57 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

4.1 ns

Unidad de peso:

0.000035 oz

Tags

DMN1, DMN