IRLR024NPBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

55 V

Id - Corriente de drenaje continua:

17 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

110 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

16 V

Qg - Carga de puerta:

10 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

38 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

2.3 mm

Longitud:

6.5 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET de potencia HEXFET

Ancho:

6.22 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

8.3 S

Otoño:

29 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

74 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

20 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7.1 ns

Parte # Alias:

SP001550522

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

IRLR024NP, IRLR024N, IRLR02, IRLR0, IRLR, IRL