SSM3J35AFS,LF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-416-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

250 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.1 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

500 mW (1/2 W)

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

Toshiba

Transconductancia directa - Mín .:

430 mS

Otoño:

145 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

42 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

420 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

17 ns

Unidad de peso:

0.000085 oz

Tags

SSM3J35A, SSM3J35, SSM3J3, SSM3J, SSM3, SSM