2SB1236TV2Q

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

Estilo de montaje:

A través del orificio

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

120 V

Colector- Voltaje base VCBO:

- 120 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

5 V

Corriente máxima del colector de CC:

1.5 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

50 MHz

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Ganancia de corriente CC hFE Max:

120 at 100 mA, 5 V

Altura:

4.4 mm

Longitud:

6.8 mm

Ancho:

2.5 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Corriente continua del colector:

- 1.5 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

120

Pd - Disipación de energía:

1000 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Subcategoría:

Transistores

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2SB1236, 2SB123, 2SB12, 2SB1, 2SB