STP45N40DM2AG

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

400 V

Id - Corriente de drenaje continua:

38 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

72 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

56 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

250 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Nombre comercial:

MDmesh

Altura:

4.6 mm

Longitud:

15.75 mm

Producto:

MOSFET de potencia

Serie:

STP45N40DM2AG

Tipo de transistor:

1 N-Channel Power MOSFET

Escribe:

Alto voltaje

Ancho:

10.4 mm

Marca:

STMicroelectronics

Otoño:

9.8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

6.7 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

68 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

20 ns

Unidad de peso:

0.011640 oz

Tags

STP45, STP4, STP