DMG6898LSDQ-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

9.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

11 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

500 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

26 nC, 26 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.28 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Serie:

DMG6898

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

12.33 ns, 12.33 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

12.49 ns, 12.49 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

35.89 ns, 35.89 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

11.67 ns, 11.67 ns

Unidad de peso:

0.002610 oz

Tags

DMG6898LSD, DMG68, DMG6, DMG