DMG302PU-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

25 V

Id - Corriente de drenaje continua:

17 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

13 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

960 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

350 pC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

450 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

DMG302

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

11 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

2.3 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

10000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

24.1 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

4.5 ns

Unidad de peso:

0.000282 oz

Tags

DMG30, DMG3, DMG