STP80N70F4

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

68 V

Id - Corriente de drenaje continua:

85 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

8.2 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

90 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

150 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Serie:

STP80N70F4

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Otoño:

25 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

36 ns

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

80 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

25 ns

Unidad de peso:

0.063493 oz

Tags

STP80N70F, STP80N7, STP80N, STP80, STP8, STP