MRF9120LR5

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

NXP

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

RoHS:

Y

Polaridad del transistor:

Canal N

Tecnología:

Si

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

65 V

Ganar:

16 dB

Potencia de salida:

26 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

375B-04

Embalaje:

Carrete

Configuración:

Doble

Altura:

5.69 mm

Longitud:

34.16 mm

Frecuencia de operación:

865 MHz to 895 MHz

Escribe:

RF Power MOSFET

Ancho:

10.31 mm

Marca:

NXP / Freescale

Modo de canal:

Mejora

Pd - Disipación de energía:

250 W

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

- 0.5 V, 15 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

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MRF9120L, MRF912, MRF91, MRF9, MRF