CSD87384MT

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Instrumentos Texas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PTAB-5

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

30 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

6.4 mOhms, 1.95 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.9 V, 1.7 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

9.2 nC, 40 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

8 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

NexFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.45 mm

Longitud:

5 mm

Serie:

CSD87384M

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Escribe:

Etapa de potencia sincrónica Buck NexFET

Ancho:

3.5 mm

Marca:

Instrumentos Texas

Transconductancia directa - Mín .:

67 S, 240 S

Otoño:

7.6 ns, 8.2 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

56 ns, 49 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

250

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

14 ns, 29 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8.7 ns, 17.5 ns

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