CSD22206WT

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Instrumentos Texas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DSBGA-9

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

8 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

9.1 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

700 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

6 V

Qg - Carga de puerta:

14.6 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.7 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

NexFET

Embalaje:

Carrete

Serie:

CSD22206W

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

Instrumentos Texas

Transconductancia directa - Mín .:

20 S

Otoño:

45 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

17 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

250

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

118 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

37 ns

Unidad de peso:

0.007055 oz

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CSD222, CSD22, CSD2, CSD