SI3443DVTRPBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSOP-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4.4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

65 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

11 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

3 mm

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Escribe:

MOSFET de potencia HEXFET

Ancho:

1.5 mm

Marca:

Infineon / IR

Otoño:

72 ns

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

33 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

70 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

12 ns

Parte # Alias:

SP001563096

Unidad de peso:

0.000705 oz

Tags

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