SQV120N06-4m7L_GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-262-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

120 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.78 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

230 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

250 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Nombre comercial:

TrenchFET

Embalaje:

Tubo

Altura:

9.65 mm

Longitud:

10.67 mm

Serie:

SQ

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

4.83 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

118 S

Otoño:

12 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

9 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

46 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

16 ns

Unidad de peso:

0.070548 oz

Tags

SQV120, SQV1, SQV