FDS2672-TF085

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

200 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3.9 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

59 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

46 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.5 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

15 S

Otoño:

10 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

10 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

35 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

22 ns

Parte # Alias:

FDS2672_TF085

Tags

FDS2672, FDS267, FDS26, FDS2, FDS