VRF3933

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Pastilla

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

RoHS:

Y

Polaridad del transistor:

Canal N

Tecnología:

Si

Id - Corriente de drenaje continua:

20 A

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

260 V

Ganar:

28 dB

Potencia de salida:

350 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Frecuencia de operación:

30 MHz

Rango de temperatura de funcionamiento:

- 65 C to + 150 C

Escribe:

RF Power MOSFET

Marca:

Microchip / Microsemi

Transconductancia directa - Mín .:

8 mS

Pd - Disipación de energía:

648 W

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

1

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

40 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3.6 V

Tags

VRF