MP6K31TCR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

210 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

2 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Semiconductor ROHM

Otoño:

9 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

10 ns

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

20 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6 ns

Tags

MP6K, MP6