BDC01DRL1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-92-3

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

100 V

Colector- Voltaje base VCBO:

100 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

5 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

0.7 V

Corriente máxima del colector de CC:

0.5 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

50 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Altura:

7.87 mm

Longitud:

5.21 mm

Embalaje:

A granel

Ancho:

4.19 mm

Marca:

EN Semiconductor

Corriente continua del colector:

0.5 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

40

Pd - Disipación de energía:

1 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

Transistores

Tags

BDC01D, BDC01, BDC0, BDC