FDG6322C

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-323-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

25 V

Id - Corriente de drenaje continua:

220 mA, 410 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

4 Ohms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

300 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

2 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

FDG6322C

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Escribe:

FET

Ancho:

1.25 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

0.2 S, 0.9 S

Otoño:

4.5 ns, 8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4.5 ns, 8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

4 ns, 55 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5 ns, 7 ns

Parte # Alias:

FDG6322C_NL

Unidad de peso:

0.000988 oz

Tags

FDG6322C, FDG6322, FDG632, FDG63, FDG6, FDG