SSM3J356R,LF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23F-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

400 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

800 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4 V

Qg - Carga de puerta:

8.3 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.9 mm

Longitud:

2.9 mm

Serie:

SSM3J356

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

1.3 mm

Marca:

Toshiba

Transconductancia directa - Mín .:

4.7 S

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

48 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

29 ns

Unidad de peso:

0.000282 oz

Tags

SSM3J35, SSM3J3, SSM3J, SSM3, SSM