NJVMJD44H11T4G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

80 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

5 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

1 V

Corriente máxima del colector de CC:

16 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

85 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

MJD44H11

Ganancia de corriente CC hFE Max:

60 at 2 A, 1 V

Altura:

2.38 mm

Longitud:

6.73 mm

Embalaje:

Carrete

Ancho:

6.22 mm

Marca:

EN Semiconductor

Corriente continua del colector:

8 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

60

Pd - Disipación de energía:

20 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Calificación:

AEC-Q101

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

Transistores

Parte # Alias:

NJVMJD44H11T4G-VF01

Tags

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